单晶圆旋刻蚀机

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单晶圆旋刻蚀机

此设备适用于UBM、RDL、BGBM及第二、三代半导体蚀刻制程。腔体设计确保化学品高回收率，支持多种液体蚀刻工艺在一个腔体内完成。
摆臂速度程式化设定，磁旋浮Pump精准控制蚀刻液均匀喷洒，提升工艺效果。酸碱分腔回收设计，避免药液与抽风交叉污染，实现高稳定性和经济效益。
PTFE一体化腔体采用曲面设计，具备优异的稳定性和洁净度，有效隔绝晶圆在SPIN过程中药液回溅的风险，保证工艺安全。设备整体采用抗酸腐蚀设计，大幅延长使用寿命，确保长期稳定运行。

单晶圆旋刻蚀机

产品特点

01

设备支持多种晶片厚度，且可容忍6mm以内的翘曲，适用于真空、边缘夹持或Bernoulli效应的传送和Spin holder技术，确保传送过程的稳定性和安全性。

02

标准蚀刻均匀性控制在3%以内（片内/片间），均匀度要求可根据工艺需求进行优化，确保满足各种规格的精度要求。

03

设备配备最高可达3组化学品回收环，回收率超过97%，有效减少化学品的浪费，降低生产成本，提升环保效益。

04

设备配有不锈钢材质的清洗液加热供应槽，最高控制温度可达95°C，确保清洗液在高温下保持最佳的溶解和去除效果，提升清洗效率。

05

化学品温度控制精度高达±0.5℃，药液在喷液前保持循环，确保温度恒定，保证每个工艺过程中的一致性和可靠性。

06

设备能够精确控制每片晶片的药液使用量，确保每片晶片处于相同的制程环境，适用于Wafer Dry-in/Dry-out制程，提升生产质量与一致性。

07

软件界面设计简洁明了，操作方便，提供量产和工程制程的便捷操作体验。通过直观的控制界面，用户可轻松管理各项工艺参数，显著提升生产效率和操作的精准性。

应用范围

技术参数

适用晶圆

4” ~ 12” 硅基UBM、RDL、BGBM、各种金属层及二代半及三代半的蚀刻。

WPH

≥15pcs/H/Chamber（Base on TT 180s）

腔室类型

单晶圆旋转工艺腔室

装载 / 卸载

FOUP / SMIF / Cassette

晶圆夹持方式

真空 / Bernoulli 和边缘夹持旋转卡盘（依制程做选择）

设备界面控制方式

触控屏+IPC+PLC

噪音

＜75db

化学品选用

Al蚀刻液，Cu蚀刻液，Ti蚀刻液，Si-E，Si-C，Si-D，HNO3/H2SO4/HF混合酸系列

控温精度

±0.5℃