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    TFT/Glass水平式清洗机
    单晶圆湿蚀刻Spin Processor，适用于UBM、RDL、BGBM、各种金属层及二代半及三代半的蚀刻制程。腔体特殊设计，保证化学品回收率，并且一个腔体完成多种液体的蚀刻工艺。
    摆臂及喷蚀装置的精确控制，摆臂速度可程式化设定，利用磁旋浮pump精准控制蚀刻药水喷洒的均匀性。
    开发出酸碱共腔分回收环设计，药液及抽风分流不交互污染，实现兼顾制程稳定及经济效益。
    PTFE一体化腔体，保有最佳材质的稳定性及洁净度，腔体的曲面设计隔绝晶圆SPIN药液回溅的风险。
    整机抗酸腐蚀设计，延长蚀刻机整机使用寿命。
    简洁明晰的软件界面，提供量产和工程安全便利的晶片制程。
    TFT/Glass水平式清洗机
    产品特点
    01
    各种晶片厚度和8mm内可容忍的warpage，对应真空、边缘夹持或Bernoulli效应的传送和spin holder技术。
    02
    标准Etch uniformity5%以内。均匀度要求可由工艺调整依需求规格持续优化。
    03
    化学品回收环最高可达3组，回收率>96%.
    04
    高速、平稳、防腐蚀之Spin Chuck，转速20~3000 rpm，可正转和反转。
    05
    精准化学品温度的控制,控制范围在0.5"C内。温度控制直到喷液前，药液持续循环保持温度的恒定性。
    06
    可控制之药液量使用，能保持每片晶片之相同制程环境。适用于Wafer Dry in/Dry out制程。
    应用范围
    技术参数
    用途:
    设备可以进行晶圆蚀刻和清洗工艺
    适用/应用:
    4”~12”晶圆
    每小时产量:
    腔体每小时产出量15pcs(每个制程180秒规划)
    腔室类型:
    单晶片旋转工艺室
    装载/卸载:
    FOUP / SMIF / Cassette
    品圆夹持方式:
    真空/Bernoulli和边缘夹持旋转卡盘〔依制程做选择)
    设备界面控制:
    触摸式荧幕+PLC控制
    外部材质:
    WPP; FMPVC
    框架材质;
    不锈钢
    工作台:
    依照产能需求最多能设计4个腔室和同时最多能放置5个摆臂
    化学品选用:
    AI蚀刻剂。Cu蚀刻剂，Ti蚀刻剂。Si-E,Si-C,Si-D,HNO3 / H2S04 / HF混合酸系列
    臂摆工艺特点:
    ◆具有扫描功能的摆臂控制
    ◆可调整扫描参数
    ◆药液流量大小可调整
    ◆DIW流喷嘴:1~3kg/cm2
    ◆氮气喷头压力2~5ko/cm2
    ◆将化学控制温度控制在0.5C以内
    ◆蚀刻工艺后，搭配二流体清洗可以解决化学残留物问题
    腔体设计：
    半封闭式
    制程优势:
    ◆能够进行分段分配速度控制
    ◆先进的品度控制系统(±0.5°C)
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